| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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FQB55N06TM |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Fairchild Semiconductor | 168 | 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923 询价QQ：  |
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FQB55N06TM参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK 包装数量：800 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 27.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1690pF @ 25V 功率 - 最大值：3.75W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 用于 IC 的插座100-024-001 固定式VLS3012ET-470M 微調器CT6ETH103 电流传感PE-51719NL 晶体管(BJT) FJX3009RTF 电流传感PE-51687NL 电路板衬垫，支座TO-100-130 其它61500015005 标签，标记INVLBL-033 PMIC - 电池BQ2002FSNTRG4 |
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